英飞凌模块使用年限

❶ 如何正确读懂英飞凌的IGBT

模块吗？
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管＆一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率

❷ 英飞凌IGBT可以这样替换吗

不建议您换，要换的话 需要改的参数很多
都知道KS4系列的IGBT饱和压降（Vce）要3V多
KT4系列的1.5V左右，所以IGBT过流保护的参数要修改
两款IGBT的Qg也不同，有可能要改栅极电阻
还有就是KT4上这么高的频率 小心炸机
如果必须换 建议你 成套替换

❸ 英飞凌igbt型号最后一个数字是什么意思

英飞凌IGBT命名规则
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统:

Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管＆一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率

❹ 英飞凌的发展历史

西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有1400多名员工（不包括奇梦达），已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。
进入中国以来，英飞凌不断顺应客户与市场的需求，研发及生产一系列能够应用于本地市场的产品。目前，英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。
英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心，利用国内的人才资源，参与全球的重点项目研究；在无锡的后道生产工厂，为中国及全球其他市场生产先进的芯片产品；2011年，英飞凌集成电路（北京）有限公司正式开业，并在亦庄开发区建立了专注于面向风电高铁等行业的IGBT模块的制造。英飞凌中国以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网络。同时，我们在销售、产品代工、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

❺ 英飞凌IGBT芯片有哪些型号规格参数

英飞凌IGBT命名规则
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统:

Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管＆一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率

❻ 英飞凌IGBT模块选型

内部控制

❼ 英飞凌的智能模块.

英飞凌科技(Infineon Technologies)新发表一系列高度整合智能型电源模块产品，可适用市面上各种驱动电控变速马达的半导体组件。这款新型名为CiPoS(控制整合电源系统)的模块专为消费性电子产品提供高效率能源运作所设计，实现英飞凌对于提升电驱装置能源效率的承诺。这套模块可应用在洗衣机和冷气机等家电用品，节能效率强化幅度达94%。

英飞凌表示，因应节能法规与消费者需求，愈来愈多的洗碗机、洗衣机、冷气机或其它家电产品采用变速马达来降低能源损耗，与这股趋势同时还有智能型电动驱动控制系统，进一步将马达效能利用到极致。对于各大制造厂商而言，这些趋势为厂商开启节能省电产品的商机。新型CiPoS模块内建三相逆变器电源模块，加上硅绝缘体(SOI)闸极驱动器、靴带式(boot strap)二极管与电容、辅助电路等，全部封装成一个极精密、高效能、完全隔离的模块。

结合英飞凌最新TrenchStop IGBT (绝缘闸双极性晶体管)与EmCon (Emitter Controlled)射极控制二极管技术，相较于分离式设计，CiPoS模块可省最多达23个电子组件，为厂商多方面节省成本，包括降低库存与物流成本、缩小电路板体积、简化电路设计与生产线组装、提高整体可靠性、降低电磁波干扰(EMI)、缩短产品上市时程。如用在送风机内的基本驱动系统，只需要再9个外部组件和1颗微控制器，CiPoS模块可解决所有马达驱动系统的设计需求，最大电源功率可达3kW。

CiPoS模块提供业界最低的接面至外壳(junction-to-case)热阻，有效增加输出电流超出同级产品达20%。举例来说，型号IKCS12F60AA的CiPoS模块的IGBT接面至外壳热阻为3.6℃/W(摄氏/瓦)，EmCon二极管则为4.9°C/W。若以标称工作电压15V来计，如此低热阻下的输出电流可达6.0A，超过市售最高等级产品的5.0A。在相同尺寸散热器条件下，能获得比同级产品更高的输出功率；或在相同输出功率下，能够使用更小的散热器。

与微控制器接口直接连结控制端的提升电阻(pull-up resistor)，只要再加上一颗运算放大器，即可轻易形成一回授控制回路。CiPoS系列至少有六种产品，第一个工程样品已经上市，符合欧盟RoHS环保标准，为单面针脚模块，适合用于洗衣机或类似产品。这些CiPoS模块包含不同数目的IGBT(四到六个)，采用开路或闭路射极，提供不同的折脚(bending)能力。正式量产预计在2007年第3季出货，适用于更高功率HVAC应用的双列封装(Dual-in-line)版本也正规划中。

❽ 安森美的IGBT和英飞凌的有什么区别哪个性能更好igbt分立元件和模块又有什么不同

英飞凌的汽车电子目前是世界第一。在国内主要是功率器件，IGBT市场占有率高。另外在工业方面，英飞凌也是全球第一。建议还是从所需电路的细节参数入手选择更合适的，而不要仅从品牌选择。

模块的3个基本特征：
·多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上；
·空心塑壳封装，与空气的隔绝材料是高压硅脂或者硅脂，以及其他可能的软性绝缘材料；
·同一个制造商、同一技术系列的产品，IGBT模块的技术特性与同等规格的IGBT 单管基本相同。
模块的主要优势有以下几个。
·多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。
·多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。
·多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。
·一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的筛选，其参数一致性比市售分立元件要好。
·模块中多个IGBT芯片之间的连接与多个分立形式的单管进行外部连接相比，电路布局更好，引线电感更小。
·模块的外部引线端子更适合高压和大电流连接。同一制造商的同系列产品，模块的最高电压等级一般会比IGBT 单管高1-2个等级，如果单管产品的最高电压规格为1700V，则模块有2500V、3300V 乃至更高电压规格的产品。
IGBT的核心技术是单管而不是模块，模块其实更像组装品一管芯的组合与组装。换言之，IGBT 单管才是IGBT 制造商的核心技术。
IGBT单管、IGBT模块、IPM模块他们各自的区别：
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装。
2，IGBT模块：模块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起。
3，PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（IGBT桥）
4，IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及众多保护功能（过热保护，过压，过流，欠压保护等）的IGBT模块

IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。
IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。
PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变
IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。

❾ 英飞凌igbt模块用在什么产品上

电焊机。逆变器。