① 场效应管是应用了电场的场效应原理发明的 晶体三极管是利用了什么效应反明的
三极管的发明者是美国科学家李·德福雷斯特（Lee de Forest ，1873 - 1961）。他所发明的第一个三极管是利用二极管改良出来的真空三极管，具有快速开、关和放大作用，能接收微弱信号。
② MOS管是谁发明的！
MOS管是谁发明无法考证。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压Mos管。