⑴ 徐现刚的主要学术成绩
一直从事半导体材料制备及其应用研究的工作,参加国家计委的产业化前期关键技术项目,开辟了大直径SiC单晶衬底制备的研究方向。
制备出650nm可见光半导体激光器,阈值电流低达8mA,成功转入产业化生产;制备出808nm有源层无铝半导体激光器;2005年制备出高亮度AlGaInP红色发光二极管,亮度达到150mcd以上,满足规模生产的要求,达到台湾、美国等国际一流公司的产品水平;采用升华法和优化坩锅设计及温场分布,在国内成功地生长出直径大于2英寸的SiC单晶;进行InP/GaAsSb/InP双异质结晶体三极管研究。在半导体光电材料与器件应用方面作出了突出贡献,凭借多年的半导体薄膜制备经验,攻克了材料生长、器件工艺等多项难关,顺利把创新科技成果实现产业化,产品占据国内70%的市场,产销量为国内首位。