pn结发明人

⑴ 二极管的概念

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。

二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。

晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

⑵ 获诺贝尔奖有名的物理学家,有名就行，最好大家都知道的那种~

诺贝尔物理学奖二次得主约翰·巴丁（John Bardeen）
美国物理学家约翰·巴丁（John Bardeen，1908年5月23日—1991年1月30日），荣获1956年和1972年诺贝尔物理学奖。他是第一位在同一领域两次获得诺贝尔奖的人。
1956：约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克莱共同荣获1956年诺贝尔物理学奖。他们的贡献在于：1947年巴丁和布拉顿共同发明第一个半导体三极管，此后一个月，肖克莱发明PN结晶体管。获奖理由：对半导体的研究和对晶体管效应的研究。
1972：约翰·巴丁、列侬·库珀、约翰·R·施里弗共同荣获1972年诺贝尔物理学奖。他们的获奖理由是：1957年共同提出低温超导理论，即通常所说的BCS理论（BCS分别为他们的姓的第一个字母）。
获诺贝尔物理学奖的华人
李政道 1926年生于上海，获奖时为中国国籍，6年后加入美国籍，1957年获诺贝尔物理学奖，时年31岁；
杨振宁 1922年生于安徽，获奖时为中国国籍，8年后加入美国籍，1957年获诺贝尔物理学奖，时年35岁；
丁肇中 1936年生于美国，美籍华人，1976年获诺贝尔物理学奖，时年40岁；
朱棣文 1948年生于美国，美籍华人，1997年获诺贝尔获物理学奖，时年49岁；
崔琦 1939年生于河南，美籍华人，1998年获诺贝尔获物理学奖，时年59岁；
高锟 1933年出生于中国上海，英美双国籍。2009年获诺贝尔物理学奖，时年75岁

⑶ PN结的发明者是谁

1948年，威廉·肖克利的论文《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论》发表。

⑷ LED等是谁发明的

中村修二，

中村修二（Shuji Nakamura），1954年5月22日出生于日本伊方町，毕业于日本德岛大学，日裔美籍电子工程学家，美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院材料系教授。

中村修二于1993年在日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)就职期间，基于GaN开发了高亮度蓝色LED，从而广为人知。当时，开发一种蓝色LED被认为是不可能的，此前的20年间只有红色和绿色LED。

2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。

(4)pn结发明人扩展阅读

中村修二教授的创新使得LED生产商能够生产三原色（红、绿和蓝）LED，从而使实现1600万色成为可能。或许最为重要的是，LED行业利用这种新技术来开始白色LED（半导体生态光源）的商业化生产。

1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在蓝光LED方面的杰出成就，中村教授获得了一系列荣誉，包括仁科纪念奖（1996），IEEE Jack A.莫顿奖，英国顶级科学奖。

富兰克林奖章（2002），2003年中村教授入选美国国家工程院（NAE）院士，2006年获得千禧技术奖。 2000年，中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。他获得100多项专利，并发表了200多篇论文。

⑸ 世界上第一颗硅基集成电路的发明人是谁

杰克·基尔比。

1958年9月，美国德州仪器公司的青年工程师杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，基于锗材料制作了一个叫做相移振荡器的简易集成电路。

并于1959年2月申请了小型化的电子电路（Miniaturized Electronic Circuit）专利（专利号为No.31838743，批准时间为1964年6月26日），这就是世界上第一块锗集成电路。

(5)pn结发明人扩展阅读：

个人经历

1947年～1958年中央实验室，威斯康星州，密尔沃基；1958年～1970年德州仪器公司，德克萨斯州，达拉斯；1970年11月自德州仪器公司离职，但继续为其担任兼职顾问；

1978年～1984年德克萨斯农工大学，电机工程学特聘教授杰克·基尔比在这本笔记本里记下了他关于第一块集成电路的成功构思。1958年的杰克·基尔比，发明了世界第一块集成电路。杰克·基尔比的第一个集成电路只包含一个单个的晶体管和其它的组件。

杰克基尔比正在研究300mm圆片。杰克·基尔比在基尔比研究中心的实验室里。杰克·基尔比发明的集成电路几乎成为今天每个电子产品的必备部件，从手机到调制解调器，再到网络游戏终端，这个小小的芯片改变了世界。

⑹ 什么是二极管

二极管（英语：Diode）是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，是世界上第一种半导体器件，具有单向导电性能、整流功能。 二极管的种类繁多，主要应用于电子电路和工业产品。经过多年来科学家们不懈努力，半导体二极管发光的应用已逐步得到推广，发光二极管的应用范围也渐渐扩大，它是一种符合绿色照明要求的光源，是普通发光器件所无法比拟的。

工作原理
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。

晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

结构组成
二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。

二极管的电路符号如图所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。

⑺ PN结和发光二极管是谁发明的

当然是科学家了 O(∩_∩)O~

⑻ 谁发现了PN结

英国的巴拉迪，在发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低后对半导体产生了深厚的兴趣，踏上了“半导体研究之路”……之后提出了PN结，结电容等著名的理论。堪称为我们电子界的亚里士多德

⑼ 硅集成电路是什么时候发明,谁发明的

1956年，美国材料科学专家富勒和赖斯发明了半导体生产的扩散工艺，这样就为发明集成电路提供了工艺技术基础。
1958年9月，美国德州仪器公司的青年工程师杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，基于锗材料制作了一个叫做相移振荡器的简易集成电路，并于1959年2月申请了小型化的电子电路（Miniaturized Electronic Circuit）专利（专利号为No.31838743，批准时间为1964年6月26日），这就是世界上第一块锗集成电路。
1959年7月，美国仙童半导体公司的诺伊斯，研究出一种利用二氧化硅屏蔽的扩散技术和PN结隔离技术，基于硅平面工艺发明了世界上第一块硅集成电路，并申请了基于硅平面工艺的集成电路发明专利（专利号为No.2981877，批准时间为1961年4月26日。虽然诺伊斯申请专利在基尔比之后，但批准在前）。
基尔比和诺伊斯几乎在同一时间分别发明了集成电路，两人均被认为是集成电路的发明者，而诺伊斯发明的硅集成电路更适于商业化生产，使集成电路从此进入商业规模化生产阶段。
集成电路的发明开拓了电子器件微型化的新纪元，引领人们走进信息社会。它的诞生使微处理器的出现成为了可能，也使计算机走进人们生产、生活的各个领域，成为人们工作、学习、娱乐不可或缺的工具，而在计算机诞生之初，它却是个只能存在于实验室的庞然大物。

⑽ 集成电路是谁发明的

​集成电路是不是谁发明的，是科技进步的产物。

集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

集成电路具有体积小、重量轻、引出线和焊接点少、寿命长、可靠性高、性能好等优点，同时成本低，便于大规模成产。它不仅在工、民用电子设备如电视机计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事通信等方面也得到广泛应用。

发展
总体来看，IC设计业与芯片制造业所占比重呈逐年上升的趋势，2010年已分别达到25.3%和31%;封装测试业所占比重则相应下降，2010年为43.7%，但其所占比重依然是最大的。

据《中国集成电路封装行业市场前瞻与投资战略规划分析报告前瞻》显示，在产业规模快速增长的同时，IC 设计、芯片制造和封装测试三业的格局也正不断优化。2010年，国内IC设计业同比增速达到34.8%，规模达到363.85亿元;芯片制造业增速也达到31.1%，规模达到447.12亿元;封装测试业增速相对稍缓，同比增幅为26.3%，规模为629.18亿元。

目前，我国集成电路产业集群已初步形成集聚长三角、环渤海和珠三角三大区域的总体产业空间格局，2010年三大区域集成电路产业销售收入占全国整体产业规模的近95%。集成电路产业基本分布在省会城市和沿海的计划单列市，并呈现“一轴一带”的分布特征，即东起上海、西至成都的沿江发展轴以及北起大连、南至深圳的沿海产业带，形成了北京、上海、深圳、无锡、苏州和杭州六大重点城市。

去年年初，国务院发布了《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》，从财税、投融资、研发、进出口、人才、知识产权等方面给予集成电路产业诸多优惠，政策覆盖范围从设计企业与生产企业延伸至封装、测试、设备、材料等产业链上下游企业，产业发展政策环境进一步好转。前瞻网《中国集成电路行业市场需求预测与投资战略规划分析报告》表示，根据国家规划，到2015年国内集成电路产业规模将在2010年的基础上再翻一番，销售收入超过3000亿元，满足国内30%的市场需求。芯片设计能力大幅提升，开发出一批具有自主知识产权的核心芯片，而封装测试业进入国际主流领域。“十二五”期间，中国集成电路产业将步入一个新的黄金发展期。