半导体是谁发明的

Ⅰ 谁发现了第一种半导体材料

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 谢谢采纳！！

Ⅱ 电子管和半导体哪个先发明

电子管和半导体相比，半导体先发明
1904年，世界上第一只电子二级管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了，这使爱迪生效应具有了实用价值。弗莱明也为此获得了这项发明的专利权。
1907年，美国发明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而发明了第一只真空三极管．
1947年，美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件．
1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。
不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

Ⅲ 半导体是_____发明的

1947年，美国电报电话公司（AT＆T）贝尔实验室的三位科学家巴丁、布莱顿和肖克利在研究半导体材料--锗和硅的物理性质时，意外地发现了锗晶体具有放大作，经过反复研究，他们用半导体材料制成了放大倍数达100量级的放大器，这便是世界上第一个固体放大器--晶体三极管。
晶体管的出现，迅速替代电子管占领了世界电子领域。随后，晶体管电路不断向微型化方向发展。1957年，美国科学家达默提出"将电子设备制作在一个没有引线的固体半导体板块中"的大胆技术思想，这就是半导体集成电路的思想。1958年，美国德克萨斯州仪器公司的工程师基尔比在一块半导体硅晶片上电阻、电容等分立元件放入其中，制成第一批集成电路。1959年，美国仙童公司的诺伊斯用一种平面工艺制成半导体集成电路，"点石成金"，集成电路很快成了比黄金还诱人的产品 1971年 11月，英特尔（Intel）公司的霍夫将计算机的线路加以改进，把中央处理器的全部功能集成在一块芯片上，另外再加上存储器，制成世界上第一个微处理器。
随着硅片上元件集成度的增加，集成电路的发展经历了小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路（VLSI）阶段。1978年，研制成的超大规模集成电路，集成度达10万以上，电子技术进入微电子时代。80年代末，芯片上集成的元件数突破1000万的大关。

Ⅳ 半导体在什么时期开始使用

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。
1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。
不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

Ⅳ 半导体是谁发明的

半导体是美国贝尔实验室于1948年发明的。

Ⅵ 半导体的发明

发现半导体已经是很早以前的事了。至于解释为什么有金属、绝缘体和半导版体之分，则是在1925年布洛权赫创立能带理论以后的事。
发明晶体管是肖克莱等三人的功劳（1947年底）。
隧道二极管是由日本人江崎于1957年在研究高掺杂时发明的。

Ⅶ 半导体的历史

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，
1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。
不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。如果感兴趣可以读一下Robert W.Cahn的The coming of Materials Science中关于半导体的一些说明。

Ⅷ 半导体晶体管是谁发明的

1947年12月23日，美国贝尔实验室的巴丁、布拉顿宣布：他们发明了点接触型晶体管，标志着半导体晶体管已研制成功。

Ⅸ 半导体是达伽码发明的还是牛顿发明的

半导体的发明

早在1930与1940年代，使用半导体制作固态放大器的想法就持续不绝；第一个有实验结果的放大器是1938年，由波欧(Robert Pohl， 1884~1976)与赫希(Rudolf Hilsch)所做的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，尽管其操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。
二次大战后，美国的贝尔实验室(Bell Lab)，决定要进行一个半导体方面的计画，目标自然是想做出固态放大器，它们在1945年7月，成立了固态物理的研究部门，经理正是萧克莱(William Shockley， 1910~1989)与摩根(Stanley Morgan)。由于使用场效应(field effect)来改变电导的许多实验都失败了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因为半导体具有表面态(surface state)的关系，为了避开表面态的问题，1947年11月17日，巴丁与布莱登(Walter Brattain 1902~1987)在硅表面滴上水滴，用涂了蜡的钨丝与硅接触，再加上一伏特的电压，发现流经接点的电流增加了！但若想得到足够的功率放大，相邻两接触点的距离要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布莱登用一块三角形塑料，在塑料角上贴上金箔，然后用刀片切开一条细缝，形成了两个距离很近的电极，其中，加正电压的称为射极 (emitter)，负电压的称为集极 (collector)，塑料下方接触的锗晶体就是基极 (base)，构成第一个点接触电晶体 (point contact transistor)，1947年12月23日，他们更进一步使用点接触电晶体制作出一个语音放大器，该日因而成为晶体管正式发明的重大日子。

另一方面，就在点接触电晶体发明整整一个月后，萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管 (junction transistor) 的方法，在萧克莱的构想中，使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针，藉由调节中间p型层的电压，就能调控电子或电洞的流动，这是一种进步很多的晶体管，也称为双极型晶体管 (bipolar transistor)，但以当时的技术，还无法实际制作出来。

晶体管的确是由于科学发明而创造出来的一个新组件，但是工业界在1950年代为了生产晶体管，却碰到许多困难。1951年，西方电器公司（Western Electric）开始生产商用的锗接点晶体管，1952年4月，西方电器、雷神(Raytheon)、美国无线电(RCA) 与奇异(GE)等公司，则生产出商用的双极型晶体管。但直到1954年5月，第一颗以硅做成的晶体管才由美国德州仪器公司(Texas Instruments)开发成功；约在同时，利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来；在1957年底，各界已制造出六百种以上不同形式的晶体管，使用于包括无线电、收音机、电子计算器甚至助听器等等电子产品。

早期制造出来的晶体管均属于高台式的结构。1958年，快捷半导体公司 (Fairchild Semiconctor)发展出平面工艺技术(planar technology)，借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧，可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件。1960年，磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了。至此，半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力，终于站稳脚步，开始快速成长。

Ⅹ 哪个公司第一个发明了第一个半导体存储器

应该是仙童半导体公司（Fairchild Semiconctor），也译作飞兆半导体公司。这家公司曾经是世界专上最大、最富创新精属神和最令人振奋的半导体生产企业，为硅谷的成长奠定了基础。更重要的是，这家公司还为硅谷孕育了成千上万的技术人才和管理人才，它不愧是电子、电脑业界的“西点军校”，是名副其实的“人才摇篮”。1955年子～57年由8位年龄未满30的年轻人组成仙童半导体公司主要研制半导体材料。早在1962年，仙童半导体公司就在缅因州建立研制和制造晶体管的生产线，主要研制和生产半导体存储器。