英飛凌模塊使用年限

❶ 如何正確讀懂英飛凌的IGBT

模塊嗎？
BSM100GB120DN2K
BSM--------------帶反並聯續流二極體(F.W.D)的IGBT模塊
BYM--------------二極體模塊
100-----------Tc=80°C時的額定電流
GA-------- 一單元模塊
GB----------兩單元模塊(半橋模塊)
GD----------六單元模塊
GT----------三單元模塊
GP----------七單元模塊(功率集成模塊)
GAL----------斬波模塊(斬波二極體靠近集電極)
GAR----------斬波模塊(斬波二極體靠近發射極)
120-------額定電壓×10
DL------低飽和壓降
DN2----高頻型
DLC----帶(EmCon)二極體的低飽和壓降
BSM系列是原西門子IGBT模塊的命名系統。西門子IGBT模塊歸入EUPEC後，EUPEC標准系列IGBT模塊仍沿用西門子型號編制系統。但EUPEC原側重生產大功率或高壓IGBT模塊，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模塊有其自身的命名系統,EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司後，所有IGBT模塊均按EUPEC IGBT命名系統來命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一單元模塊
FF--------------兩單元模塊(半橋模塊)
FP--------------七單元模塊(功率集成模塊)
FD/DF------------斬波模塊
F4---------------四單元模塊
FS---------------六單元模塊
DD---------------二極體模塊
400-------------Tc=80°C時的額定電流
R------------逆導型
S-------------快速二極體
12-----------額定電壓×100
KF---------高頻型(主要在大模塊上使用)
KL--------低飽和壓降(主要在大模塊上使用)
KS--------短拖尾高頻型
KE--------低飽和壓降
KT--------低飽和壓降高頻型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系統:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶閘管
D----------------------二極體
930-----------------平均電流
0-----------------標准陶瓷圓盤封裝
1-----------------大功率圓盤
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光觸發型
N-----------------相控器件
F---------------居中門極型快速晶閘管
S---------------門極分布式快速晶閘管 二極體
18 ----------耐壓×100
B--------引線型
C-----------------焊針型
E-----------------平板式
T-----------------圓盤式
M -------------關斷時間(A、B、C、D等表示關斷時間)
C ----關斷電壓斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------雙晶閘管結構
DD----------------------雙二極體結構
TD/DT------------------- 一個二極體＆一個晶閘管
430-------------------平均電流
N------------------相控器件
F-------------------居中門極型快速晶閘管
S-------------------陰極交錯式快速晶閘管
22--------------耐壓×100
K-----------模塊
O---------關斷時間
F -----斷電壓斜率

❷ 英飛凌IGBT可以這樣替換嗎

不建議您換，要換的話 需要改的參數很多
都知道KS4系列的IGBT飽和壓降（Vce）要3V多
KT4系列的1.5V左右，所以IGBT過流保護的參數要修改
兩款IGBT的Qg也不同，有可能要改柵極電阻
還有就是KT4上這么高的頻率 小心炸機
如果必須換 建議你 成套替換

❸ 英飛凌igbt型號最後一個數字是什麼意思

英飛凌IGBT命名規則
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系統:

Simens/EUPEC IGBT 各型號中所指電流都是在Tc=80°C時的標稱，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的標稱，敬請廣大用戶注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------帶反並聯續流二極體(F.W.D)的IGBT模塊
BYM--------------二極體模塊
100-----------Tc=80°C時的額定電流
GA-------- 一單元模塊
GB----------兩單元模塊(半橋模塊)
GD----------六單元模塊
GT----------三單元模塊
GP----------七單元模塊(功率集成模塊)
GAL----------斬波模塊(斬波二極體靠近集電極)
GAR----------斬波模塊(斬波二極體靠近發射極)
120-------額定電壓×10
DL------低飽和壓降
DN2----高頻型
DLC----帶(EmCon)二極體的低飽和壓降
BSM系列是原西門子IGBT模塊的命名系統。西門子IGBT模塊歸入EUPEC後，EUPEC標准系列IGBT模塊仍沿用西門子型號編制系統。但EUPEC原側重生產大功率或高壓IGBT模塊，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模塊有其自身的命名系統,EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司後，所有IGBT模塊均按EUPEC IGBT命名系統來命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一單元模塊
FF--------------兩單元模塊(半橋模塊)
FP--------------七單元模塊(功率集成模塊)
FD/DF------------斬波模塊
F4---------------四單元模塊
FS---------------六單元模塊
DD---------------二極體模塊
400-------------Tc=80°C時的額定電流
R------------逆導型
S-------------快速二極體
12-----------額定電壓×100
KF---------高頻型(主要在大模塊上使用)
KL--------低飽和壓降(主要在大模塊上使用)
KS--------短拖尾高頻型
KE--------低飽和壓降
KT--------低飽和壓降高頻型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系統:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶閘管
D----------------------二極體
930-----------------平均電流
0-----------------標准陶瓷圓盤封裝
1-----------------大功率圓盤
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光觸發型
N-----------------相控器件
F---------------居中門極型快速晶閘管
S---------------門極分布式快速晶閘管 二極體
18 ----------耐壓×100
B--------引線型
C-----------------焊針型
E-----------------平板式
T-----------------圓盤式
M -------------關斷時間(A、B、C、D等表示關斷時間)
C ----關斷電壓斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------雙晶閘管結構
DD----------------------雙二極體結構
TD/DT------------------- 一個二極體＆一個晶閘管
430-------------------平均電流
N------------------相控器件
F-------------------居中門極型快速晶閘管
S-------------------陰極交錯式快速晶閘管
22--------------耐壓×100
K-----------模塊
O---------關斷時間
F -----斷電壓斜率

❹ 英飛凌的發展歷史

西門子半導體事業部作為英飛凌科技(中國)有限公司的前身於1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有1400多名員工（不包括奇夢達），已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。
進入中國以來，英飛凌不斷順應客戶與市場的需求，研發及生產一系列能夠應用於本地市場的產品。目前，英飛凌先進的半導體解決方案已廣泛應用於各個領域，同時我們憑借雄厚的技術實力和全球領先的經驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內領先廠商展開深入合作，為中國電子行業的騰飛做出應有的貢獻。
英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈。在研發方面，英飛凌在上海、西安建立了研發中心，利用國內的人才資源，參與全球的重點項目研究；在無錫的後道生產工廠，為中國及全球其他市場生產先進的晶元產品；2011年，英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開業，並在亦庄開發區建立了專注於面向風電高鐵等行業的IGBT模塊的製造。英飛凌中國以北京、上海、深圳和香港為中心在國內建立了全面的銷售網路。同時，我們在銷售、產品代工、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。

❺ 英飛凌IGBT晶元有哪些型號規格參數

英飛凌IGBT命名規則
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系統:

Simens/EUPEC IGBT 各型號中所指電流都是在Tc=80°C時的標稱，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的標稱，敬請廣大用戶注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------帶反並聯續流二極體(F.W.D)的IGBT模塊
BYM--------------二極體模塊
100-----------Tc=80°C時的額定電流
GA-------- 一單元模塊
GB----------兩單元模塊(半橋模塊)
GD----------六單元模塊
GT----------三單元模塊
GP----------七單元模塊(功率集成模塊)
GAL----------斬波模塊(斬波二極體靠近集電極)
GAR----------斬波模塊(斬波二極體靠近發射極)
120-------額定電壓×10
DL------低飽和壓降
DN2----高頻型
DLC----帶(EmCon)二極體的低飽和壓降
BSM系列是原西門子IGBT模塊的命名系統。西門子IGBT模塊歸入EUPEC後，EUPEC標准系列IGBT模塊仍沿用西門子型號編制系統。但EUPEC原側重生產大功率或高壓IGBT模塊，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模塊有其自身的命名系統,EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司後，所有IGBT模塊均按EUPEC IGBT命名系統來命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一單元模塊
FF--------------兩單元模塊(半橋模塊)
FP--------------七單元模塊(功率集成模塊)
FD/DF------------斬波模塊
F4---------------四單元模塊
FS---------------六單元模塊
DD---------------二極體模塊
400-------------Tc=80°C時的額定電流
R------------逆導型
S-------------快速二極體
12-----------額定電壓×100
KF---------高頻型(主要在大模塊上使用)
KL--------低飽和壓降(主要在大模塊上使用)
KS--------短拖尾高頻型
KE--------低飽和壓降
KT--------低飽和壓降高頻型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系統:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶閘管
D----------------------二極體
930-----------------平均電流
0-----------------標准陶瓷圓盤封裝
1-----------------大功率圓盤
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光觸發型
N-----------------相控器件
F---------------居中門極型快速晶閘管
S---------------門極分布式快速晶閘管 二極體
18 ----------耐壓×100
B--------引線型
C-----------------焊針型
E-----------------平板式
T-----------------圓盤式
M -------------關斷時間(A、B、C、D等表示關斷時間)
C ----關斷電壓斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------雙晶閘管結構
DD----------------------雙二極體結構
TD/DT------------------- 一個二極體＆一個晶閘管
430-------------------平均電流
N------------------相控器件
F-------------------居中門極型快速晶閘管
S-------------------陰極交錯式快速晶閘管
22--------------耐壓×100
K-----------模塊
O---------關斷時間
F -----斷電壓斜率

❻ 英飛凌IGBT模塊選型

內部控制

❼ 英飛凌的智能模塊.

英飛凌科技(Infineon Technologies)新發表一系列高度整合智能型電源模塊產品，可適用市面上各種驅動電控變速馬達的半導體組件。這款新型名為CiPoS(控制整合電源系統)的模塊專為消費性電子產品提供高效率能源運作所設計，實現英飛凌對於提升電驅裝置能源效率的承諾。這套模塊可應用在洗衣機和冷氣機等家電用品，節能效率強化幅度達94%。

英飛凌表示，因應節能法規與消費者需求，愈來愈多的洗碗機、洗衣機、冷氣機或其它家電產品採用變速馬達來降低能源損耗，與這股趨勢同時還有智能型電動驅動控制系統，進一步將馬達效能利用到極致。對於各大製造廠商而言，這些趨勢為廠商開啟節能省電產品的商機。新型CiPoS模塊內建三相逆變器電源模塊，加上硅絕緣體(SOI)閘極驅動器、靴帶式(boot strap)二極體與電容、輔助電路等，全部封裝成一個極精密、高效能、完全隔離的模塊。

結合英飛凌最新TrenchStop IGBT (絕緣閘雙極性晶體管)與EmCon (Emitter Controlled)射極控制二極體技術，相較於分離式設計，CiPoS模塊可省最多達23個電子組件，為廠商多方面節省成本，包括降低庫存與物流成本、縮小電路板體積、簡化電路設計與生產線組裝、提高整體可靠性、降低電磁波干擾(EMI)、縮短產品上市時程。如用在送風機內的基本驅動系統，只需要再9個外部組件和1顆微控制器，CiPoS模塊可解決所有馬達驅動系統的設計需求，最大電源功率可達3kW。

CiPoS模塊提供業界最低的接面至外殼(junction-to-case)熱阻，有效增加輸出電流超出同級產品達20%。舉例來說，型號IKCS12F60AA的CiPoS模塊的IGBT接面至外殼熱阻為3.6℃/W(攝氏/瓦)，EmCon二極體則為4.9°C/W。若以標稱工作電壓15V來計，如此低熱阻下的輸出電流可達6.0A，超過市售最高等級產品的5.0A。在相同尺寸散熱器條件下，能獲得比同級產品更高的輸出功率；或在相同輸出功率下，能夠使用更小的散熱器。

與微控制器介面直接連結控制端的提升電阻(pull-up resistor)，只要再加上一顆運算放大器，即可輕易形成一回授控制迴路。CiPoS系列至少有六種產品，第一個工程樣品已經上市，符合歐盟RoHS環保標准，為單面針腳模塊，適合用於洗衣機或類似產品。這些CiPoS模塊包含不同數目的IGBT(四到六個)，採用開路或閉路射極，提供不同的折腳(bending)能力。正式量產預計在2007年第3季出貨，適用於更高功率HVAC應用的雙列封裝(Dual-in-line)版本也正規劃中。

❽ 安森美的IGBT和英飛凌的有什麼區別哪個性能更好igbt分立元件和模塊又有什麼不同

英飛凌的汽車電子目前是世界第一。在國內主要是功率器件，IGBT市場佔有率高。另外在工業方面，英飛凌也是全球第一。建議還是從所需電路的細節參數入手選擇更合適的，而不要僅從品牌選擇。

模塊的3個基本特徵：
·多個晶元以絕緣方式組裝到金屬基板上；
·空心塑殼封裝，與空氣的隔絕材料是高壓硅脂或者硅脂，以及其他可能的軟性絕緣材料；
·同一個製造商、同一技術系列的產品，IGBT模塊的技術特性與同等規格的IGBT 單管基本相同。
模塊的主要優勢有以下幾個。
·多個IGBT晶元並聯，IGBT的電流規格更大。
·多個IGBT晶元按照特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以減少外部電路連接的復雜性。
·多個IGBT晶元處於同一個金屬基板上，等於是在獨立的散熱器與IGBT晶元之間增加了一塊均熱板，工作更可靠。
·一個模塊內的多個IGBT晶元經過了模塊製造商的篩選，其參數一致性比市售分立元件要好。
·模塊中多個IGBT晶元之間的連接與多個分立形式的單管進行外部連接相比，電路布局更好，引線電感更小。
·模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一製造商的同系列產品，模塊的最高電壓等級一般會比IGBT 單管高1-2個等級，如果單管產品的最高電壓規格為1700V，則模塊有2500V、3300V 乃至更高電壓規格的產品。
IGBT的核心技術是單管而不是模塊，模塊其實更像組裝品一管芯的組合與組裝。換言之，IGBT 單管才是IGBT 製造商的核心技術。
IGBT單管、IGBT模塊、IPM模塊他們各自的區別：
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝。
2，IGBT模塊：模塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起。
3，PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）
4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及眾多保護功能（過熱保護，過壓，過流，欠壓保護等）的IGBT模塊

IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247 TO3P等封裝。
IGBT模塊：即模塊化封裝的IGBT晶元。常見的有1in1,2in1,6in1等。
PIM模塊：集成整流橋+制動單元+三相逆變
IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。

❾ 英飛凌igbt模塊用在什麼產品上

電焊機。逆變器。