發明半導體

① 電子管和半導體哪個先發明

電子管和半導體相比，半導體先發明
1904年，世界上第一隻電子二級管在英國物理學家弗萊明的手下誕生了，這使愛迪生效應具有了實用價值。弗萊明也為此獲得了這項發明的專利權。
1907年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二極體的燈絲和板極之間巧妙地加了一個柵板，從而發明了第一隻真空三極體．
1947年，美國物理學家肖克利、巴丁和布拉頓三人合作發明了晶體管——一種三個支點的半導體固體元件．
1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久， 1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

② 中國第一個半導體二極體是哪一年發明的

世界上第一個半導體二極體是在1947年發明的。
中國第一個半導體二極體是在1957年研製出來的 。

③ 半導體的發展歷程

1947年，美國貝爾實驗室發明了半導體點接觸式晶體管，從而開創了人類的硅文明時代。
1956年，我國提出「向科學進軍」，根據國外發展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。中國科學院應用物理所首先舉辦了半導體器件短期培訓班。請回國的半導體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管製造技術和半導體線路。在五所大學――北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學開辦了半導體物理專業，共同培養第一批半導體人才。培養出了第一批著名的教授：北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德、吉林大學的高鼎三。1957年畢業的第一批研究生中有中國科學院院士王陽元（北京大學微電子所所長）、工程院院士許居衍（華晶集團中央研究院院長）和電子工業部總工程師俞忠鈺（北方華虹設計公司董事長）。
1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接觸二極體和三極體（即晶體管）。
1958年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研製發明了半導體集成電路（IC）之後，發展極為迅猛，從SSI（小規模集成電路）起步，經過MSI（中規模集成電路），發展到LSI（大規模集成電路），然後發展到現在的VLSI（超大規模集成電路）及最近的ULSI（特大規模集成電路），甚至發展到將來的GSI（甚大規模集成電路），屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。
1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業性專業化研究所――第十三所（河北半導體研究所）。
1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。
1962年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。
1963年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。
1964年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。
1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並在國內首先鑒定了DTL型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產品。這些小規模雙極型數字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。
1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業中的「兩霸」。
1968年，上海無線電十四廠首家製成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路（MOSIC）。拉開了我國發展MOS電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研究所（現電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後，又研製成CMOS電路。
七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設IC生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體（一）廠、航天部西安691廠等等。
1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研製成功。

④ 哪個公司第一個發明了第一個半導體存儲器

應該是仙童半導體公司（Fairchild Semiconctor），也譯作飛兆半導體公司。這家公司曾經是世界專上最大、最富創新精屬神和最令人振奮的半導體生產企業，為矽谷的成長奠定了基礎。更重要的是，這家公司還為矽谷孕育了成千上萬的技術人才和管理人才，它不愧是電子、電腦業界的「西點軍校」，是名副其實的「人才搖籃」。1955年子～57年由8位年齡未滿30的年輕人組成仙童半導體公司主要研製半導體材料。早在1962年，仙童半導體公司就在緬因州建立研製和製造晶體管的生產線，主要研製和生產半導體存儲器。

⑤ 半導體歷史發展有哪些

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

(5)發明半導體擴展閱讀：

人物貢獻:

1、英國科學家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在電磁學方面擁有許多貢獻，但較不為人所知的，則是他在1833年發現的其中一種半導體材料。

硫化銀，因為它的電阻隨著溫度上升而降低，當時只覺得這件事有些奇特，並沒有激起太大的火花；

然而，今天我們已經知道，隨著溫度的提升，晶格震動越厲害，使得電阻增加，但對半導體而言，溫度上升使自由載子的濃度增加，反而有助於導電，這也是半導體一個非常重要的物理性質。

2、德國的布勞恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關，這就是半導體的整流作用。

但直到1906年，美國電機發明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才發明了第一個固態電子元件：無線電波偵測器(cat』s whisker)，它使用金屬與硅或硫化鉛相接觸所產生的整流功能，來偵測無線電波。

在整流理論方面，德國的蕭特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，於「德國物理學報」發表了一篇有關整流理論的重要論文，做了許多推論，他認為金屬與半導體間有能障(potential barrier)的存在，其主要貢獻就在於精確計算出這個能障的形狀與寬度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在這方面做出了重要的貢獻，其定理是將電子波函數加上了周期性的項，首開能帶理論的先河。

另一方面，德國人佩爾斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 於1929年，則指出一個幾乎完全填滿的能帶，其電特性可以用一些帶正電的電荷來解釋，這就是電洞概念的濫觴；

他後來提出的微擾理論，解釋了能隙(Energy gap)存在。

⑥ 半導體是誰發明的

半導體是美國貝爾實驗室於1948年發明的。

⑦ 半導體是_____發明的

1947年，美國電報電話公司（AT＆T）貝爾實驗室的三位科學家巴丁、布萊頓和肖克利在研究半導體材料--鍺和硅的物理性質時，意外地發現了鍺晶體具有放大作，經過反復研究，他們用半導體材料製成了放大倍數達100量級的放大器，這便是世界上第一個固體放大器--晶體三極體。
晶體管的出現，迅速替代電子管佔領了世界電子領域。隨後，晶體管電路不斷向微型化方向發展。1957年，美國科學家達默提出"將電子設備製作在一個沒有引線的固體半導體板塊中"的大膽技術思想，這就是半導體集成電路的思想。1958年，美國德克薩斯州儀器公司的工程師基爾比在一塊半導體硅晶片上電阻、電容等分立元件放入其中，製成第一批集成電路。1959年，美國仙童公司的諾伊斯用一種平面工藝製成半導體集成電路，"點石成金"，集成電路很快成了比黃金還誘人的產品 1971年 11月，英特爾（Intel）公司的霍夫將計算機的線路加以改進，把中央處理器的全部功能集成在一塊晶元上，另外再加上存儲器，製成世界上第一個微處理器。
隨著矽片上元件集成度的增加，集成電路的發展經歷了小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路和超大規模集成電路（VLSI）階段。1978年，研製成的超大規模集成電路，集成度達10萬以上，電子技術進入微電子時代。80年代末，晶元上集成的元件數突破1000萬的大關。

⑧ 如果人類沒有發明半導體，現代科技會有什麼變化

如果人類沒有發明半導體，現代科技會有根據其他發明而對應的變化。

⑨ 半導體的發明

發現半導體已經是很早以前的事了。至於解釋為什麼有金屬、絕緣體和半導版體之分，則是在1925年布洛權赫創立能帶理論以後的事。
發明晶體管是肖克萊等三人的功勞（1947年底）。
隧道二極體是由日本人江崎於1957年在研究高摻雜時發明的。

⑩ 半導體是達伽碼發明的還是牛頓發明的

半導體的發明

早在1930與1940年代，使用半導體製作固態放大器的想法就持續不絕；第一個有實驗結果的放大器是1938年，由波歐(Robert Pohl， 1884~1976)與赫希(Rudolf Hilsch)所做的，使用的是溴化鉀晶體與鎢絲做成的閘極，盡管其操作頻率只有一赫茲，並無實際用途，卻證明了類似真空管的固態三端子組件的實用性。
二次大戰後，美國的貝爾實驗室(Bell Lab)，決定要進行一個半導體方面的計畫，目標自然是想做出固態放大器，它們在1945年7月，成立了固態物理的研究部門，經理正是蕭克萊(William Shockley， 1910~1989)與摩根(Stanley Morgan)。由於使用場效應(field effect)來改變電導的許多實驗都失敗了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因為半導體具有表面態(surface state)的關系，為了避開表面態的問題，1947年11月17日，巴丁與布萊登(Walter Brattain 1902~1987)在硅表面滴上水滴，用塗了蠟的鎢絲與硅接觸，再加上一伏特的電壓，發現流經接點的電流增加了！但若想得到足夠的功率放大，相鄰兩接觸點的距離要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布萊登用一塊三角形塑料，在塑料角上貼上金箔，然後用刀片切開一條細縫，形成了兩個距離很近的電極，其中，加正電壓的稱為射極 (emitter)，負電壓的稱為集極 (collector)，塑料下方接觸的鍺晶體就是基極 (base)，構成第一個點接觸電晶體 (point contact transistor)，1947年12月23日，他們更進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器，該日因而成為晶體管正式發明的重大日子。

另一方面，就在點接觸電晶體發明整整一個月後，蕭克萊想到使用p-n接面來製作接面晶體管 (junction transistor) 的方法，在蕭克萊的構想中，使用半導體兩邊的n型層來取代點接觸電晶體的金屬針，藉由調節中間p型層的電壓，就能調控電子或電洞的流動，這是一種進步很多的晶體管，也稱為雙極型晶體管 (bipolar transistor)，但以當時的技術，還無法實際製作出來。

晶體管的確是由於科學發明而創造出來的一個新組件，但是工業界在1950年代為了生產晶體管，卻碰到許多困難。1951年，西方電器公司（Western Electric）開始生產商用的鍺接點晶體管，1952年4月，西方電器、雷神(Raytheon)、美國無線電(RCA) 與奇異(GE)等公司，則生產出商用的雙極型晶體管。但直到1954年5月，第一顆以硅做成的晶體管才由美國德州儀器公司(Texas Instruments)開發成功；約在同時，利用氣體擴散來把雜質摻入半導體的技術也由貝爾實驗室與奇異公司研發出來；在1957年底，各界已製造出六百種以上不同形式的晶體管，使用於包括無線電、收音機、電子計算器甚至助聽器等等電子產品。

早期製造出來的晶體管均屬於高台式的結構。1958年，快捷半導體公司 (Fairchild Semiconctor)發展出平面工藝技術(planar technology)，借著氧化、黃光微影、蝕刻、金屬蒸鍍等技巧，可以很容易地在硅晶元的同一面製作半導體組件。1960年，磊晶(epitaxy)技術也由貝爾實驗室發展出來了。至此，半導體工業獲得了可以批次(batch)生產的能力，終於站穩腳步，開始快速成長。