⑴ 徐現剛的主要學術成績
一直從事半導體材料制備及其應用研究的工作,參加國家計委的產業化前期關鍵技術項目,開辟了大直徑SiC單晶襯底制備的研究方向。
制備出650nm可見光半導體激光器,閾值電流低達8mA,成功轉入產業化生產;制備出808nm有源層無鋁半導體激光器;2005年制備出高亮度AlGaInP紅色發光二極體,亮度達到150mcd以上,滿足規模生產的要求,達到台灣、美國等國際一流公司的產品水平;採用升華法和優化坩鍋設計及溫場分布,在國內成功地生長出直徑大於2英寸的SiC單晶;進行InP/GaAsSb/InP雙異質結晶體三極體研究。在半導體光電材料與器件應用方面作出了突出貢獻,憑借多年的半導體薄膜制備經驗,攻克了材料生長、器件工藝等多項難關,順利把創新科技成果實現產業化,產品占據國內70%的市場,產銷量為國內首位。