A. 單晶硅概念股有哪些
蘭花科創：重慶蘭花太陽能電力股份有限公司建設的1000噸單晶硅項目，分兩期建設，一期為500噸。蘭花太陽能的主要產品是單晶矽片。該項目目前仍處於建設階段，單晶硅棒生產車間設備安裝已完成60%，並試生產出一小部分單晶硅棒，還未進入批量生產。單晶硅棒屬於單晶矽片的中間產品。單晶矽片生產車間設備還未安裝到位。
大港股份：公司完成了對子公司大成硅科技剩餘25％股權的收購工作，大成硅科技有限公司主要從事晶體硅太陽能電池硅切片、硅棒的生產、銷售。2008年7月1日，大成硅科技、江蘇輝倫和公司在江蘇省鎮江市就太陽能單晶矽片購銷簽訂《購銷合同》。大成硅科技向江蘇輝倫提供符合約定技術標注的125mm×125mm太陽能單晶矽片，合同金額45333萬元，供貨時間為2008年第三季度開始到2009年第四季度結束。
中環股份：從事半導體分立器件和單晶硅材料研發、生產和銷售，主要產品為高壓硅堆、硅橋式整流器、快恢復整流二極體、單晶硅及硅切磨片等，其中分立器件產品主要應用於電視機、顯示器、微波爐等各類電器；單晶硅材料主要應用於半導體集成電路、半導體分立器件、太陽能電池等。公司與航天機電共同組建內蒙古中環光伏有限材料公司，共同打造內蒙古光伏產業基地項目。該項目分四期建設，目標是建成年產800-1000MW太陽能單晶硅錠、矽片的生產基地。
拓日新能：國際上只有西門子、夏普、德國RWE等幾個廠家能夠同時生產非晶硅、單晶硅、多晶硅三種太陽能電池，公司是國內唯一一家，公司使用的生產設備自製化程度高達70％以上。打破國內太陽能電池產業「國外設備壟斷、國外技術包干」的雙壟斷格局。
億晶光電：將採取資產置換以及發行股份購買資產的方式置入億晶光電100％股權，進軍光伏行業，億晶光電也將成功借殼上市。據了解，億晶光電已形成較為完善的光伏產業鏈，成為國內僅有的三家擁有垂直一體化產業鏈且產能在200MW以上的太陽能電池組件生產企業之一。重組後，海通集團的主業將從果蔬農產品加工和銷售變更為單晶硅棒、單晶硅（多晶硅）片、太陽能電池片及太陽能電池組件的生產及銷售。
有研新材：公司處在多晶硅產業鏈條的中間。大股東為北京有色金屬研究總院，主營單晶硅、鍺、化合物半導體材料的研究、開發和生產，其主導產品單晶硅為太陽能電池重要原材料。公司充分利用大直徑單晶回收料，成功將其用於生產太陽能電池用單晶硅。
中環股份：10月12日午間公告，公司全資子公司天津環歐半導體材料技術有限公司，針對未來全球光伏市場對高效率太陽能電池的發展需求，利用多年在半導體級直拉區熔（CFZ）晶體生長技術的持續研發和專業經驗，成功研發了 「適用於太陽能單晶的新型直拉區熔法單晶（CFZ單晶）矽片」，並已申請發明專利。
B. 關於硅的重大發明
用硅做晶元
硅做為半導體,可以有很多特殊的功能.在高純的硅加些別的微量元素可以有獨特的作用,比如做2J管.3J管,實際上很多硬體都是由各種電子元件構成的 ,其中不缺乏2.3J晶體管.
C. 單晶是誰發明的
科技進步的發現與發明（集體發明）
一、直拉單晶製造法（
CZ法
）
直拉單晶製造法（Czochralski，CZ法）是把原料多
硅晶
塊放入
石英坩堝
中，在
單晶爐
中加熱融化
，再將一根直徑只有10mm的棒狀
晶種
（稱
籽晶
）浸入融液中。在合適的溫度下，融液中的
硅原子
會順著晶種的硅原子排列結構在
固液交界面
上形成規則的結晶，成為
單晶體
。把晶種微微的旋轉
向上提升
，融液中的硅原子會在前面形成的單晶體上繼續結晶，並延續其規則的原子排列結構。若整個結晶環境穩定，就可以周而復始的形成結晶，最後形成一根圓柱形的原子排列整齊的
硅單晶
晶體，即硅單晶錠。當結晶加快時，晶體直徑會變粗，提高升速可以使直徑變細，增加溫度能抑制結晶速度。反之，若結晶變慢，直徑變細，則通過降低拉速和降溫去控制。
拉晶
開始，先引出一定長度，直徑為3～5mm的細頸，以消除結晶
位錯
，這個過程叫做引晶。然後放大單晶體直徑至
工藝要求
，進入等徑階段，直至大部分硅融液都結晶成單晶錠，只剩下少量剩料。
圖表
1
直拉單晶製造示意法
數據來源：硅業在線網
控制直徑，保證晶體等徑生長是單晶製造的重要環節。硅的熔點約為1450℃，拉晶過程始終保持在高溫負壓的環境中進行。
直徑檢測
必須隔著觀察窗在拉晶
爐體
外部非接觸式實現。拉晶過程中，固態晶體與液態融液的交界處會形成一個明亮的光環，亮度很高，稱為光圈。它其實是固液交界面處的
彎月
面對坩堝壁亮
光的反射
。當晶體變粗時，光圈直徑變大，反之則變小。通過對光圈直徑變化的檢測，可以反映出單晶直徑的變化情況。自動直徑檢測就是基於這個原理發展起來的。
二、區熔單晶製造法（FZ法）
區熔
單晶硅
是利用懸浮區熔技術制備的單晶硅。區熔單晶徑向雜質分布均勻性較
直拉法
差，但氧、碳含量低，用
高阻
區熔單晶經過中子輻照可以得到雜質分布均勻性相當滿意的
單晶材料
，適宜於製作高壓大功率器件。
區熔法
單晶主要用於高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用於大功率
輸變電
、
電力機車
、整流、變頻、
機電一體化
、
節能燈
、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6」。
外延片
主要用於集成電路領域。
參考資料：硅業在線www.windosi.com
D. 太陽能光伏發電是誰發明的
羅門·德·考克斯 是利用最早的人。
太陽能發電有很多形式，大體可以分為兩類，一版種是半導體權發電，一種是太陽能熱發電。
半導體發電是利用半導體界面的光生伏特效應而將光能直接轉變為電能的一種技術。這種技術的關鍵元件是太陽能電池。太陽能電池經過串聯後進行封裝保護可形成大面積的太陽電池組件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發電裝置。單晶硅、多晶硅、薄膜發電均是這種技術。也較光伏發電，現在光伏發電的效率一般在20％左右，發電的成本在1.5－3元/kwh，價格還是比較貴。
還有一種是是太陽能熱發電技術，現在一般的太陽能技術最高也就做到150－200°，再高的話太陽能的效率就很低了，這個溫度還不能達到發電的水平，都在研究階段，還有應用實例。
E. 無定形硅為什麼能變成單晶硅棒
在地殼中，硅的含量僅次於氧，居第二位，佔地殼總重量的26.5%。它主要以二氧化硅的形式存在，岩石和沙土中都含有大量二氧化硅。元素硅的原子結構和化學性質與元素碳相似，單質硅是重要的合金和半導體原料。20世紀50年代，半導體應用的發展，帶動了單晶硅的生產。單晶硅是由許多硅原子以金剛石晶格結構排列成晶核長成晶面取向相同的晶粒並平行結合變成單晶硅。超純單晶硅是最早使用的半導體材料，其純度可高達99.9999999999%，在這樣純的單晶硅中，每一萬億個原子中有一個雜質原子。單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從溶體中生長出棒狀單晶硅。單晶的生長方法很多，主要有四種：區熔法。1952年，由美國科學家蒲凡所發明。在一個長棒形固體非單晶原料中，有一段短的區域被加熱融熔，並且緩慢地從一端移向另一端，使原料內物質在結晶過程中重新分布，達到提純物質重新結晶的目的。區熔法目前仍在廣泛使用。水熱法。單晶體在高溫高壓條件下從溶液中生長，所使用的容器是高壓釜。通常把原料放在溫度比較高的底部，籽晶放在溫度較低的上部，容器內充滿溶劑。在高壓釜底部的高溫部分，原料溶解在溶劑中，由於溫差對流，溶解的原料被溶液帶到釜上部，在籽晶附近達到飽和狀態，並在籽晶上結晶。溶液的循環，使底部的原料不斷溶解；而上面的籽晶不斷生長。目前水熱法主要用於生長水晶以及其它氧化物單晶。此外，還有外延生長法和升華法。現在的半導體材料鍺和砷化鎵等，其製造方法在技術上已經相當成熟。一塊0.4平方厘米的集成電路，可以把2萬個固態器件的功能完全表現出來，這幾乎與人腦的神經細胞密度一樣高。
F. 太陽能是誰發明的
羅門·德·考克斯 是利用最早的人。
太陽能發電有很多形式，大體可以分為兩類，一種是半導體發電，一種是太陽能熱發電。
半導體發電是利用半導體界面的光生伏特效應而將光能直接轉變為電能的一種技術。這種技術的關鍵元件是太陽能電池。太陽能電池經過串聯後進行封裝保護可形成大面積的太陽電池組件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發電裝置。單晶硅、多晶硅、薄膜發電均是這種技術。也較光伏發電，現在光伏發電的效率一般在20％左右，發電的成本在1.5－3元/kwh，價格還是比較貴。
還有一種是是太陽能熱發電技術，現在一般的太陽能技術最高也就做到150－200°，再高的話太陽能的效率就很低了，這個溫度還不能達到發電的水平，都在研究階段，還有應用實例。
G. 怎麼製造單晶硅
(這是工業製作發)不知你喜不喜歡本發明涉及冶煉技術領域，尤其是涉及電冶煉爐中的一種生產硅鐵、硅鈣和單晶硅的原料的加工方法，其特徵在於：分別將二氧化硅和炭素原料粉碎至1mm以下的細末，按照重量比為SiO2∶C＝1∶(0.4～0.6)的比例成型；所述成型方法是將炭素、二氧化硅原料細粉混合加入攪拌機中攪拌，再加入原料重量的3-15％的水分，待攪拌均勻後，加入對輥成型機中壓製成型，成型好球料的變性處理後在自然中晾曬、自然風干；能大幅度增加原料的反應接觸面積、提高爐內化學反應速度，能明顯降低電耗、提高產量。
H. 單晶硅是誰研究出來的
硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。
用途：單晶硅具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨著溫度升高而增加，具有半導體性質。單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成P型半導體，摻入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半導體結合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。
單晶硅是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等。在開發能源方面是一種很有前途的材料。
單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法、區熔法和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用於半導體集成電路、二極體、外延片襯底、太陽能電池。
I. 單晶硅晶元誰發明的
傑克基爾比和羅伯特諾伊斯
J. 太陽能光伏電池是什麼時候發明的
太陽光發電的歷史可以追溯到1800年，貝克勒爾發現對某種半導體材料照射光後，會引起其伏安特性改變。最終，發現了光伏效應，並以此半導體製成太陽能光伏電池。1876年，英國科學家亞當斯等在研究半導體材料時發現了硒的光伏效應。1884年，美國科學家查爾斯製成了硒太陽能光伏電池，其轉換效率很低，僅有1％。其後，對氧化銅等半導體材料研究，同樣發現有光伏效應，所以也製成了以氧化銅等半導體材料為原料的太陽能光伏電池。
1954年，美國貝爾實驗室的皮爾松、佛朗等三名科學家利用硅晶體材料開發出性能良好的太陽能光伏電池，其轉換效率達6％，經過不斷改良後，成為現在的硅太陽能光伏電池。
太陽能光伏電池是1958年開始得到應用的。當時前蘇聯發射了人造衛星，美國也發射了人造衛星，在太空領域上，展開了激烈的競爭。前蘇聯發射的人造衛星使用的是原子能電池，美國發射的先驅者1號通信衛星採用的就是太陽能光伏電池。
由於太陽能光伏電池的價格特別高(高達1500美元／w)，而且剛開始性能還不穩定，因此僅用於航天器。到了20世紀60年代初才慢慢趨於穩定，70年代開始在航天器上大量使用。太陽能光伏電池的性能雖然已穩定，但價格還是很高，所以直到20世紀70年代初太陽能光伏電池還沒有得到廣泛應用，只可用於航天器、人造衛星、山頂上的差轉電台、海上航標燈、海島燈塔電源等，一些不計成本，必須用的場所。
到了1973年後，在石油危機的推動下，太陽能光伏電池進入了蓬勃發展時期，太陽能光伏電池開始在地面使用，而且地面用太陽能光伏電池的數量很快就大大超過了在航天器上的使用量。這個時期，不但出現了許多新型電池，而且因為引進了許多新技術，出現了鈍化技術、減反射技術、絨面技術、背表面場技術、異質結太陽能電池技術及聚光電池等非常有效的新技術。
1976年，美國ca公司的卡爾松發明了非晶硅太陽能光伏電池。該電池的轉換效率雖低於單晶硅，但製造時可以任意選配電壓電流比。
太陽能光伏電池的應用，到了20世紀80年代就比較廣泛了，特別是在民用電器上得到了廣泛應用，如太陽能計算器、太陽能手錶和太陽能手機充電器等。
這主要有兩個原因：一個是半導體集成電路的發展，使得電子產品消耗的電量大幅度下降，在室內燈光下，太陽能光伏電池也能產生電力，可以充分地使計算器等電子產品正常工作；另一個原因是電子產品工作所必需的電壓能從一個基片上得到，這樣一種新的集成型非晶硅太陽能光伏電池可以便宜地製造。太陽能光伏電池計算器實用化後，從手錶開始，逐漸推廣到各種電子產品的應用。
太陽能光伏電池除了可以用簡單的裝置就能夠直接發電這一優點外，在使用時還有如下的優點。
(1)不產生對環境有不良影響的排放氣體及有害物質，沒有雜訊。
(2)不僅在太陽光下可以發電，在熒光燈、白熾燈等擴散光下也可以發電。
(3)不需要更換電池。
(4)可以直接接到dc機械上。
(5)在使用場合就可以發電。
我國的太陽能光伏電池誕生的也比較早，而且我國也是應用較早的國家之一。
1959年，我國就誕生了第一隻有實用價值的太陽能光伏電池。1971年3月太陽能光伏電池首次應用於我國第二顆人造衛星(實踐1號)。而後，1973年太陽能光伏電池首次用於浮標燈。
20世紀70年代，我國開始生產太陽能光伏電池，70年代中末期引進國外關鍵設備和成套生產線，我國太陽能光伏電池的生產產業有了進一步的發展。