pn結發明人

⑴ 二極體的概念

二極體是用半導體材料(硅、硒、鍺等)製成的一種電子器件。它具有單向導電性能， 即給二極體陽極和陰極加上正向電壓時，二極體導通。 當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極體截止。 因此，二極體的導通和截止，則相當於開關的接通與斷開。

二極體是最早誕生的半導體器件之一，其應用非常廣泛。特別是在各種電子電路中，利用二極體和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能。無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業控制電路中，都可以找到二極體的蹤跡。

二極體的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極體。

晶體二極體為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。
當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。
當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

⑵ 獲諾貝爾獎有名的物理學家,有名就行，最好大家都知道的那種~

諾貝爾物理學獎二次得主約翰·巴丁（John Bardeen）
美國物理學家約翰·巴丁（John Bardeen，1908年5月23日—1991年1月30日），榮獲1956年和1972年諾貝爾物理學獎。他是第一位在同一領域兩次獲得諾貝爾獎的人。
1956：約翰·巴丁、沃爾特·布拉頓和威廉·肖克萊共同榮獲1956年諾貝爾物理學獎。他們的貢獻在於：1947年巴丁和布拉頓共同發明第一個半導體三極體，此後一個月，肖克萊發明PN結晶體管。獲獎理由：對半導體的研究和對晶體管效應的研究。
1972：約翰·巴丁、列儂·庫珀、約翰·R·施里弗共同榮獲1972年諾貝爾物理學獎。他們的獲獎理由是：1957年共同提出低溫超導理論，即通常所說的BCS理論（BCS分別為他們的姓的第一個字母）。
獲諾貝爾物理學獎的華人
李政道 1926年生於上海，獲獎時為中國國籍，6年後加入美國籍，1957年獲諾貝爾物理學獎，時年31歲；
楊振寧 1922年生於安徽，獲獎時為中國國籍，8年後加入美國籍，1957年獲諾貝爾物理學獎，時年35歲；
丁肇中 1936年生於美國，美籍華人，1976年獲諾貝爾物理學獎，時年40歲；
朱棣文 1948年生於美國，美籍華人，1997年獲諾貝爾獲物理學獎，時年49歲；
崔琦 1939年生於河南，美籍華人，1998年獲諾貝爾獲物理學獎，時年59歲；
高錕 1933年出生於中國上海，英美雙國籍。2009年獲諾貝爾物理學獎，時年75歲

⑶ PN結的發明者是誰

1948年，威廉·肖克利的論文《半導體中的P-N結和P-N結型晶體管的理論》發表。

⑷ LED等是誰發明的

中村修二，

中村修二（Shuji Nakamura），1954年5月22日出生於日本伊方町，畢業於日本德島大學，日裔美籍電子工程學家，美國加州大學聖塔芭芭拉分校工程學院材料系教授。

中村修二於1993年在日本日亞化學工業株式會社(Nichia Corporation)就職期間，基於GaN開發了高亮度藍色LED，從而廣為人知。當時，開發一種藍色LED被認為是不可能的，此前的20年間只有紅色和綠色LED。

2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因發明「高效藍色發光二極體」而獲得2014年諾貝爾物理學獎。

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中村修二教授的創新使得LED生產商能夠生產三原色（紅、綠和藍）LED，從而使實現1600萬色成為可能。或許最為重要的是，LED行業利用這種新技術來開始白色LED（半導體生態光源）的商業化生產。

1989年，中村教授開始研究基於三族氮材料的藍光LED。由於在藍光LED方面的傑出成就，中村教授獲得了一系列榮譽，包括仁科紀念獎（1996），IEEE Jack A.莫頓獎，英國頂級科學獎。

富蘭克林獎章（2002），2003年中村教授入選美國國家工程院（NAE）院士，2006年獲得千禧技術獎。 2000年，中村教授加入加州大學聖芭芭拉分校。他獲得100多項專利，並發表了200多篇論文。

⑸ 世界上第一顆硅基集成電路的發明人是誰

傑克·基爾比。

1958年9月，美國德州儀器公司的青年工程師傑克·基爾比（Jack Kilby），成功地將包括鍺晶體管在內的五個元器件集成在一起，基於鍺材料製作了一個叫做相移振盪器的簡易集成電路。

並於1959年2月申請了小型化的電子電路（Miniaturized Electronic Circuit）專利（專利號為No.31838743，批准時間為1964年6月26日），這就是世界上第一塊鍺集成電路。

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個人經歷

1947年～1958年中央實驗室，威斯康星州，密爾沃基；1958年～1970年德州儀器公司，德克薩斯州，達拉斯；1970年11月自德州儀器公司離職，但繼續為其擔任兼職顧問；

1978年～1984年德克薩斯農工大學，電機工程學特聘教授傑克·基爾比在這本筆記本里記下了他關於第一塊集成電路的成功構思。1958年的傑克·基爾比，發明了世界第一塊集成電路。傑克·基爾比的第一個集成電路只包含一個單個的晶體管和其它的組件。

傑克基爾比正在研究300mm圓片。傑克·基爾比在基爾比研究中心的實驗室里。傑克·基爾比發明的集成電路幾乎成為今天每個電子產品的必備部件，從手機到數據機，再到網路游戲終端，這個小小的晶元改變了世界。

⑹ 什麼是二極體

二極體（英語：Diode）是用半導體材料(硅、硒、鍺等)製成的一種電子器件，是世界上第一種半導體器件，具有單向導電性能、整流功能。 二極體的種類繁多，主要應用於電子電路和工業產品。經過多年來科學家們不懈努力，半導體二極體發光的應用已逐步得到推廣，發光二極體的應用范圍也漸漸擴大，它是一種符合綠色照明要求的光源，是普通發光器件所無法比擬的。

工作原理
二極體的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極體。

晶體二極體為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。

當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

結構組成
二極體就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。

採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。

由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極體導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。

二極體的電路符號如圖所示。二極體有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極體的文字元號用VD表示。

⑺ PN結和發光二極體是誰發明的

當然是科學家了 O(∩_∩)O~

⑻ 誰發現了PN結

英國的巴拉迪，在發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低後對半導體產生了深厚的興趣，踏上了「半導體研究之路」……之後提出了PN結，結電容等著名的理論。堪稱為我們電子界的亞里士多德

⑼ 硅集成電路是什麼時候發明,誰發明的

1956年，美國材料科學專家富勒和賴斯發明了半導體生產的擴散工藝，這樣就為發明集成電路提供了工藝技術基礎。
1958年9月，美國德州儀器公司的青年工程師傑克·基爾比（Jack Kilby），成功地將包括鍺晶體管在內的五個元器件集成在一起，基於鍺材料製作了一個叫做相移振盪器的簡易集成電路，並於1959年2月申請了小型化的電子電路（Miniaturized Electronic Circuit）專利（專利號為No.31838743，批准時間為1964年6月26日），這就是世界上第一塊鍺集成電路。
1959年7月，美國仙童半導體公司的諾伊斯，研究出一種利用二氧化硅屏蔽的擴散技術和PN結隔離技術，基於硅平面工藝發明了世界上第一塊硅集成電路，並申請了基於硅平面工藝的集成電路發明專利（專利號為No.2981877，批准時間為1961年4月26日。雖然諾伊斯申請專利在基爾比之後，但批准在前）。
基爾比和諾伊斯幾乎在同一時間分別發明了集成電路，兩人均被認為是集成電路的發明者，而諾伊斯發明的硅集成電路更適於商業化生產，使集成電路從此進入商業規模化生產階段。
集成電路的發明開拓了電子器件微型化的新紀元，引領人們走進信息社會。它的誕生使微處理器的出現成為了可能，也使計算機走進人們生產、生活的各個領域，成為人們工作、學習、娛樂不可或缺的工具，而在計算機誕生之初，它卻是個只能存在於實驗室的龐然大物。

⑽ 集成電路是誰發明的

​集成電路是不是誰發明的，是科技進步的產物。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於鍺的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。

集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點少、壽命長、可靠性高、性能好等優點，同時成本低，便於大規模成產。它不僅在工、民用電子設備如電視機計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事通信等方面也得到廣泛應用。

發展
總體來看，IC設計業與晶元製造業所佔比重呈逐年上升的趨勢，2010年已分別達到25.3%和31%;封裝測試業所佔比重則相應下降，2010年為43.7%，但其所佔比重依然是最大的。

據《中國集成電路封裝行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告前瞻》顯示，在產業規模快速增長的同時，IC 設計、晶元製造和封裝測試三業的格局也正不斷優化。2010年，國內IC設計業同比增速達到34.8%，規模達到363.85億元;晶元製造業增速也達到31.1%，規模達到447.12億元;封裝測試業增速相對稍緩，同比增幅為26.3%，規模為629.18億元。

目前，我國集成電路產業集群已初步形成集聚長三角、環渤海和珠三角三大區域的總體產業空間格局，2010年三大區域集成電路產業銷售收入佔全國整體產業規模的近95%。集成電路產業基本分布在省會城市和沿海的計劃單列市，並呈現「一軸一帶」的分布特徵，即東起上海、西至成都的沿江發展軸以及北起大連、南至深圳的沿海產業帶，形成了北京、上海、深圳、無錫、蘇州和杭州六大重點城市。

去年年初，國務院發布了《國務院關於印發進一步鼓勵軟體產業和集成電路產業發展若干政策的通知》，從財稅、投融資、研發、進出口、人才、知識產權等方面給予集成電路產業諸多優惠，政策覆蓋范圍從設計企業與生產企業延伸至封裝、測試、設備、材料等產業鏈上下游企業，產業發展政策環境進一步好轉。前瞻網《中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》表示，根據國家規劃，到2015年國內集成電路產業規模將在2010年的基礎上再翻一番，銷售收入超過3000億元，滿足國內30%的市場需求。晶元設計能力大幅提升，開發出一批具有自主知識產權的核心晶元，而封裝測試業進入國際主流領域。「十二五」期間，中國集成電路產業將步入一個新的黃金發展期。