半導體是誰發明的

Ⅰ 誰發現了第一種半導體材料

1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。 謝謝採納！！

Ⅱ 電子管和半導體哪個先發明

電子管和半導體相比，半導體先發明
1904年，世界上第一隻電子二級管在英國物理學家弗萊明的手下誕生了，這使愛迪生效應具有了實用價值。弗萊明也為此獲得了這項發明的專利權。
1907年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二極體的燈絲和板極之間巧妙地加了一個柵板，從而發明了第一隻真空三極體．
1947年，美國物理學家肖克利、巴丁和布拉頓三人合作發明了晶體管——一種三個支點的半導體固體元件．
1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久， 1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

Ⅲ 半導體是_____發明的

1947年，美國電報電話公司（AT＆T）貝爾實驗室的三位科學家巴丁、布萊頓和肖克利在研究半導體材料--鍺和硅的物理性質時，意外地發現了鍺晶體具有放大作，經過反復研究，他們用半導體材料製成了放大倍數達100量級的放大器，這便是世界上第一個固體放大器--晶體三極體。
晶體管的出現，迅速替代電子管佔領了世界電子領域。隨後，晶體管電路不斷向微型化方向發展。1957年，美國科學家達默提出"將電子設備製作在一個沒有引線的固體半導體板塊中"的大膽技術思想，這就是半導體集成電路的思想。1958年，美國德克薩斯州儀器公司的工程師基爾比在一塊半導體硅晶片上電阻、電容等分立元件放入其中，製成第一批集成電路。1959年，美國仙童公司的諾伊斯用一種平面工藝製成半導體集成電路，"點石成金"，集成電路很快成了比黃金還誘人的產品 1971年 11月，英特爾（Intel）公司的霍夫將計算機的線路加以改進，把中央處理器的全部功能集成在一塊晶元上，另外再加上存儲器，製成世界上第一個微處理器。
隨著矽片上元件集成度的增加，集成電路的發展經歷了小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路和超大規模集成電路（VLSI）階段。1978年，研製成的超大規模集成電路，集成度達10萬以上，電子技術進入微電子時代。80年代末，晶元上集成的元件數突破1000萬的大關。

Ⅳ 半導體在什麼時期開始使用

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。
1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。
在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

Ⅳ 半導體是誰發明的

半導體是美國貝爾實驗室於1948年發明的。

Ⅵ 半導體的發明

發現半導體已經是很早以前的事了。至於解釋為什麼有金屬、絕緣體和半導版體之分，則是在1925年布洛權赫創立能帶理論以後的事。
發明晶體管是肖克萊等三人的功勞（1947年底）。
隧道二極體是由日本人江崎於1957年在研究高摻雜時發明的。

Ⅶ 半導體的歷史

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前，
1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。
在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。
很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。如果感興趣可以讀一下Robert W.Cahn的The coming of Materials Science中關於半導體的一些說明。

Ⅷ 半導體晶體管是誰發明的

1947年12月23日，美國貝爾實驗室的巴丁、布拉頓宣布：他們發明了點接觸型晶體管，標志著半導體晶體管已研製成功。

Ⅸ 半導體是達伽碼發明的還是牛頓發明的

半導體的發明

早在1930與1940年代，使用半導體製作固態放大器的想法就持續不絕；第一個有實驗結果的放大器是1938年，由波歐(Robert Pohl， 1884~1976)與赫希(Rudolf Hilsch)所做的，使用的是溴化鉀晶體與鎢絲做成的閘極，盡管其操作頻率只有一赫茲，並無實際用途，卻證明了類似真空管的固態三端子組件的實用性。
二次大戰後，美國的貝爾實驗室(Bell Lab)，決定要進行一個半導體方面的計畫，目標自然是想做出固態放大器，它們在1945年7月，成立了固態物理的研究部門，經理正是蕭克萊(William Shockley， 1910~1989)與摩根(Stanley Morgan)。由於使用場效應(field effect)來改變電導的許多實驗都失敗了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因為半導體具有表面態(surface state)的關系，為了避開表面態的問題，1947年11月17日，巴丁與布萊登(Walter Brattain 1902~1987)在硅表面滴上水滴，用塗了蠟的鎢絲與硅接觸，再加上一伏特的電壓，發現流經接點的電流增加了！但若想得到足夠的功率放大，相鄰兩接觸點的距離要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布萊登用一塊三角形塑料，在塑料角上貼上金箔，然後用刀片切開一條細縫，形成了兩個距離很近的電極，其中，加正電壓的稱為射極 (emitter)，負電壓的稱為集極 (collector)，塑料下方接觸的鍺晶體就是基極 (base)，構成第一個點接觸電晶體 (point contact transistor)，1947年12月23日，他們更進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器，該日因而成為晶體管正式發明的重大日子。

另一方面，就在點接觸電晶體發明整整一個月後，蕭克萊想到使用p-n接面來製作接面晶體管 (junction transistor) 的方法，在蕭克萊的構想中，使用半導體兩邊的n型層來取代點接觸電晶體的金屬針，藉由調節中間p型層的電壓，就能調控電子或電洞的流動，這是一種進步很多的晶體管，也稱為雙極型晶體管 (bipolar transistor)，但以當時的技術，還無法實際製作出來。

晶體管的確是由於科學發明而創造出來的一個新組件，但是工業界在1950年代為了生產晶體管，卻碰到許多困難。1951年，西方電器公司（Western Electric）開始生產商用的鍺接點晶體管，1952年4月，西方電器、雷神(Raytheon)、美國無線電(RCA) 與奇異(GE)等公司，則生產出商用的雙極型晶體管。但直到1954年5月，第一顆以硅做成的晶體管才由美國德州儀器公司(Texas Instruments)開發成功；約在同時，利用氣體擴散來把雜質摻入半導體的技術也由貝爾實驗室與奇異公司研發出來；在1957年底，各界已製造出六百種以上不同形式的晶體管，使用於包括無線電、收音機、電子計算器甚至助聽器等等電子產品。

早期製造出來的晶體管均屬於高台式的結構。1958年，快捷半導體公司 (Fairchild Semiconctor)發展出平面工藝技術(planar technology)，借著氧化、黃光微影、蝕刻、金屬蒸鍍等技巧，可以很容易地在硅晶元的同一面製作半導體組件。1960年，磊晶(epitaxy)技術也由貝爾實驗室發展出來了。至此，半導體工業獲得了可以批次(batch)生產的能力，終於站穩腳步，開始快速成長。

Ⅹ 哪個公司第一個發明了第一個半導體存儲器

應該是仙童半導體公司（Fairchild Semiconctor），也譯作飛兆半導體公司。這家公司曾經是世界專上最大、最富創新精屬神和最令人振奮的半導體生產企業，為矽谷的成長奠定了基礎。更重要的是，這家公司還為矽谷孕育了成千上萬的技術人才和管理人才，它不愧是電子、電腦業界的「西點軍校」，是名副其實的「人才搖籃」。1955年子～57年由8位年齡未滿30的年輕人組成仙童半導體公司主要研製半導體材料。早在1962年，仙童半導體公司就在緬因州建立研製和製造晶體管的生產線，主要研製和生產半導體存儲器。